دانلود پروژه سنسور اثر هال


مقاله ورد در مورد سنسور اثر هال


برای خرید آنلاین این پروژه کلیک کنید :

 


توضیحات مقاله ای که میخام بخرم 

وبسایت مکاله اقدام به ارائه پروژه ای با فرمت ورد، برای رشته مهندسی برق و الکترونیک، با عنوان سنسور اثر هال ، نموده است. برای آشنایی بیشتر با این پروژه میتوانید ابتدا خلاصه آن را از لینک زیر دانلود نموده و پس از حصول اطمینان و با در دست داشتن کارت عابر بانک + رمز دوم (رمز اینترنتی) مقاله را خریداری و بلافاصه دانلود نمایید. 


لینک دانلود رایگان بخشی از این مقاله :

برای دانلود رایگان خلاصه مقاله سنسور اثر هال ، اینجا کلیک کنید


مشخصات این مقاله :

عنوان: سنسور اثر هال (Hall Effect Sensors)

فرمت: ورد (قابل ویرایش)

تعداد صفحات: 32 صفحه(فونت 14)

منابع و ماخذ: دارد

شماره پروژه: 18


 عکسی از پروژه :


 

 فهرست مطالب :

مقدمه
ويژگيهاي عمومي
تاريخچه
تئوري اثرهال
اساس سنسورهاي اثرهال
سنسورهاي هال ديجيتال
سنسورهاي آنالوگ
سيستم هاي مغناطيسي
سنسورهاي موقعيت تشخيص پره ( Vane Operated Position Sensor)
Sequence Sensors
سنسورهاي مجاورتي     Proximity  Sensor
سنسور ماشين هاي اداري
سنسور موقعيت چندگانه (Multiple position sensor)
سنسور ضد لغزشي Anti-Skid sensor
سنسور موقعيت پيستون (Piston detection sensors)
برخي از  نمونه ها
مراجع

 


بخشی از این مقاله :


تاريخچه
اثرهال توسط دكتر ادوين هال (Edvin   Hall) درسال 1879 در حالي كشف شد كه او دانشجوي دكتراي دانشگاه Johns  Hopkins در بالتيمر(Baltimore) انگليس بود.
هال درحال تحقيق بر تئوري جريان الكترون كلوين بود كه دريافت زماني كه ميدان يك آهنربا عمود بر سطح مستطيل نازكي از جنس طلا قرار گيرد كه جرياني از آن عبور مي كند، اختلاف پتانسيل الكتريكي در لبه هاي مخالف آن پديد مي آيد.
او دريافت كه اين ولتاژ متناسب با جريان عبوري از مدار و چگالي شار مغناطيسي عمود بر مدار است. اگر چه آزمايش هال موفقيت آميز و صحيح بود ولي تا حدود 70 سال پيش از كشف آن كاربردي خارج از قلمرو فيزيك تئوري براي آن بدست نيامد.
با ورود مواد نيمه هادي در دهه 1950 اثرهال اولين كاربرد عملي خود را بدست آورد. درسال 1965 Joe  Maupin ,Everett Vorthman براي توليد يك سنسور حالت جامد كاربردي وكم هزينه از ميان ايده هاي متفاوت اثرهال را انتخاب نمودند. علت اين انتخاب جا دادن تمام اين سنسور بر روي يك تراشه سيليكن با هزينه كم و ابعاد كوچك بوده است اين كشف مهم ورود اثر هال به دنياي عملي و پروكاربرد خود درجهان بود.
تئوري اثرهال
اگر يك ماده هادي يا نيمه هادي كه حامل جريان الكتريكي است در يك ميدان مغناطيسي به شدت B كه عمود برجهت جريان عبوري به مقدار I مي باشد قرار گيرد، ولتاژي به مقدار V در عرض هادي توليد مي شود.

اين خاصيت در مواد نيمه هادي داراي مقدار بيشتري نسبت به مواد ديگر است و از اين خاصيت در قطعات اثرهال تجارتي استفاده ميشود.
ولتاژها به اين علت پديد مي آيد كه ميدان مغناطيسي باعث مي شود تا نيروي لرنتز برجريان عمل كند و توزيع آنرا برهم بزند[F=q(VB)]. نهايتا حاملهاي جريان مسير منحني را مطابق شكل بپيمايند.
حاملهاي جريان اضافي روي يك لبه قطعه ظاهر مي شوند، ضمن اينكه در لبه مخالف كمبود حامل اتفاق مي افتد. اين  عدم تعادل بار باعث ايجاد ولتاژ هال مي شود، كه تا زماني كه ميدان مغناطيسي حضور داشته و جريان برقرار است باقي مي ماند.
براي يك قطعه نيمه هادي يا هادي مستطيل شكل با ضخامت t ولتاژهايV توسط رابطه زير بدست مي آيد:
KH ضريب هال براي ماده مورد نظر است كه بستگي به موبيليته بار و مقاومت هادي دارد.
آنتيمونيد ايريديم تركيبي است كه در ساخت عنصر اثرهال استفاده مي شود  و مقدار KH براي آن  20  است.
ولتاژهال در رنج   در سيليكن بوجود مي آيد و تقويت كننده براي آن حتمي است. سيليكن اثر پيز و مقاومتي دارد و بنابراين براثر فشار مقاومت آن تغيير مي كند. در يك سنسور اثر هال بايد اين خصوصيت را به حداقل رساند تا دقت و صحت اندازه گيري افزوده شود. اين عمل با قرار دادن عنصر هال بريك IC براي به حداقل رساندن اثر فشار و با استفاده از چند عنصر هال انجام ميشود. بطوري كه بر هر يك از دو بازوي مجاور مدار پل يك عنصر هال قرار گيرد، در يكي جريان بر ميدان مغاطيسي عمود است و ولتاژ هال ايجاد مي شود و در ديگري جريان موازي با ميدان مغناطيسي مي باشد و ولتاژ هال ايجاد نمي‌شود. استفاده از 4 عنصر هال نيز مرسوم مي باشد.

 


 توجه :

این مقاله به صورت کامل و با فرمت ورد (با قابلیت ویرایش) آماده خرید اینترنتی و دانلود آنی میباشد.


.


ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.